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公开/公告号CN111883693A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北工业大学;
申请/专利号CN202010729278.8
发明设计人 周远明;冯俊杰;梅思炯;梅菲;孙东伟;刘能;王豪杰;张珂;
申请日2020-07-27
分类号H01L51/56(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/50(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人李炜
地址 430068 湖北省武汉市洪山区南李路28号
入库时间 2023-06-19 08:48:57
机译: 有机发光二极管的空穴注入层及其制备方法
机译: 包含多维钙钛矿发光层的发光二极管及其制备方法
机译:钙钛矿晶体的精细控制和使用自掺杂聚苯胺空穴注入层的高效钙钛矿发光二极管的减少发光淬火
机译:多功能p型碳量子点:一种新型空穴注入层,用于高性能钙钛矿发光二极管,具有显着增强的稳定性
机译:基于混合卤化物钙钛矿和Spiro-OMeTAD作为空穴注入层的明亮可见光发光二极管
机译:通过RGO燃烧方法增强镍氧化物空穴注入层,用于钙钛矿QD发光二极管
机译:用于固体氧化物燃料电池的基于钙钛矿的阳极材料的合理设计:一种计算方法。
机译:使用氧化镍空穴注入层控制高效稳定的准2D钙钛矿型发光二极管的界面缺陷
机译:基于混合卤化物钙钛矿和spiro-OmeTaD作为空穴注入层的明亮可见红外发光二极管
机译:基于溶液的钙钛矿型氧化物薄膜和粉末的温度