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公开/公告号CN111863566A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 北京交通大学;
申请/专利号CN202010530708.3
发明设计人 刘文正;张文俊;田甲;高永杰;赵潞翔;
申请日2020-06-11
分类号H01J3/04(20060101);
代理机构11255 北京市商泰律师事务所;
代理人麻吉凤
地址 100044 北京市海淀区西直门外上园村3号
入库时间 2023-06-19 08:42:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-11
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 3/04 专利申请号:2020105307083 申请公布日:20201030
发明专利申请公布后的驳回
机译: 真空弧离子源
机译: 具有真空弧离子源的装置
机译: 阴极电极,用于真空镀膜设备的等离子源和等离子源,特别是用于在光学基材上施加涂层
机译:钛镍合金氢化物阴极真空弧离子源的离子光谱研究
机译:大面积分散弧等离子源中共存弧根和弧柱的ICCD成像
机译:大型负离子源中大面积多级多孔电极的真空耐压
机译:真空弧离子源:充电状态增强和弧电压
机译:快速传播的扩散真空弧中的后弧现象(中断,恢复)。
机译:一种紧凑超高真空离子源用于同位素富集和沉积28si薄膜
机译:用于碘化物 - 化学电离质谱的真空紫外线离子源(VUV-IS):放射性离子源的替代品
机译:一种用于埋弧炉的电极控制器