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通过封装衬底中的介电材料配置设计的最佳信号布线性能

摘要

通过封装衬底中的介电材料配置设计的最佳信号布线性能。实施例包括封装衬底和形成封装衬底的方法。一种封装衬底包括:在第一电介质中的第一导电层、在第一电介质上方的第二电介质、以及在第二电介质中的第二导电层,其中第二导电层包括第一迹线和第二迹线。该封装衬底还包括在第二电介质上方的第三导电层,以及在第一和第二电介质中的高介电常数(Dk)和低DK区,其中高Dk区围绕第一迹线,并且其中低Dk区围绕第二迹线。高Dk区可以处于第一导电层与第三导电层之间。低Dk区可以处于第一导电层与第三导电层之间。该封装衬底可以包括在第一和第二电介质中的介电区,其中该介电区将高Dk区和低Dk区分离。

著录项

  • 公开/公告号CN111834327A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202010207455.6

  • 发明设计人 钱治国;段刚;K.艾金;孔*莹;

    申请日2020-03-23

  • 分类号H01L23/498(20060101);H01L21/48(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人周学斌;申屠伟进

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 08:39:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/498 专利申请号:2020102074556 申请日:20200323

    实质审查的生效

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