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公开/公告号CN111837108A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201980018153.X
发明设计人 S·K·瑞特南;V·P·拉亚普鲁;M·N·凯纳克;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;S·诺埃尔;P·菲利;林其松;
申请日2019-02-08
分类号G06F11/16(20060101);G06F3/06(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 08:39:31
机译: 基于不成功的纠错操作向存储子系统提供恢复的数据到新的存储器单元
机译: 基于不成功的纠错操作向存储子系统的新存储器单元提供恢复的数据
机译: 光和/或红外传感器单元的灵敏度校正方法,涉及形成校正存储器的地址,并提供存储的和校正后的数据值以用于基于存储器寻址的进一步处理
机译:存储器操作中的最佳自校正无故障错误编码技术
机译:嵌入式存储器中相邻MBU容限的新SEC-DED错误校正代码子类
机译:存储器状态瞬态分析(MSTA):一种基于随机分析的CMOS存储器元件软错误率测量新方法
机译:基于存储器子系统模型应用的多核微处理器存储器子系统单元的独立功能验证
机译:基于多级单元相变存储器的主存储器的架构技术。
机译:假设情节性回忆归因于检索时发生的操作而不是归因于长期存储器的专用子系统中存储的内容
机译:光存储器的错误检测和校正