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具有沿导电结构的介电区域的集成组件以及形成集成组件的方法

摘要

一些实施例包含形成集成组件的方法。构造被形成为包含具有顶表面和从所述顶表面向下延伸的一对侧壁表面的导电结构。绝缘材料在所述顶表面的上方,并且轨道沿着所述侧壁表面。所述轨道包含牺牲材料。去除所述牺牲材料以留下开口。密封剂材料形成为在所述开口内延伸。所述密封剂材料具有比所述绝缘材料低的介电常数。一些实施例包含具有导电结构的集成组件,所述导电结构具有顶表面和从所述顶表面向下延伸的一对相对的侧壁表面。绝缘材料在所述顶表面的上方。空隙沿着所述侧壁表面并且被密封剂材料覆盖。所述密封剂材料具有比所述绝缘材料低的介电常数。

著录项

  • 公开/公告号CN111837236A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201980018679.8

  • 申请日2019-02-05

  • 分类号H01L27/108(20060101);H01L27/02(20060101);H01L23/528(20060101);H01L23/31(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 08:39:31

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