首页> 中国专利> 一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法

一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法,所述碳化硅晶体的籽晶碳面()上具有周期性排列的凹腔结构,所述凹腔结构包括多个侧壁,所述多个侧壁中至少一个侧壁的法向和所述碳化硅晶体C向[0001]之间具有50~65°的预设夹角。根据本发明提供的碳化硅晶体的籽晶结构保证了其在生长过程降低或避免晶体C向[0001]带来的晶体缺陷增殖和继承籽晶缺陷,此外,还达到了增加晶体生长速度同时保证晶体的利用率的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111809238A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中电化合物半导体有限公司;

    申请/专利号CN202010874435.4

  • 发明设计人 潘尧波;薛卫明;马远;

    申请日2020-08-27

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B25/00(20060101);C30B23/00(20060101);C30B7/00(20060101);C30B33/02(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人夏苗苗

  • 地址 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

  • 入库时间 2023-06-19 08:39:31

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号