公开/公告号CN111809238A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中电化合物半导体有限公司;
申请/专利号CN202010874435.4
申请日2020-08-27
分类号C30B29/36(20060101);C30B25/00(20060101);C30B23/00(20060101);C30B7/00(20060101);C30B33/02(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人夏苗苗
地址 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
入库时间 2023-06-19 08:39:31
机译: 用于制造碳化硅晶体的籽晶保持器和籽晶以及制造碳化硅晶体的方法
机译: 碳化硅晶体的坑形成方法和使用相同方法制造碳化硅的方法,以及确定碳化硅晶体和碳化硅晶体表面的错位的方法
机译: 碳化硅晶体的制造方法,碳化硅晶体以及碳化硅晶体的制造装置