公开/公告号CN105780107A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;北京天科合达半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201410795960.1
申请日2014-12-18
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人牛海军
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2023-06-19 00:09:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-08
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B23/00 申请公布日:20160720 申请日:20141218
发明专利申请公布后的驳回
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/00 申请日:20141218
实质审查的生效
2016-07-20
公开
公开
机译: 用于碳化硅单晶生长籽晶的碳化硅单晶生长籽晶的制造方法,碳化硅单晶的制造方法以及碳化硅单晶
机译: 可用于生产半导体器件的碳化硅体积单晶的生产包括例如在坩埚的晶体生长区域中产生碳化硅生长气相,并生长碳化硅体积单晶
机译: 晶体生长装置,制造碳化硅单晶,碳化硅单晶基板和碳化硅外延衬底的方法