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孙镇镇;
碳化硅; 晶体结构; 制备方法; 发展方向;
机译:氢高分压对射频磁控溅射制备碳化硅薄膜纳米晶体结构影响的研究
机译:脉冲激光沉积作为异质结太阳能电池的碳化硅碳化硅的制备与表征
机译:用碳化硅喷粉制备黏结碳化硅的性能
机译:ER的晶体结构和光谱:通过水热程序制备的晶体的晶体结构和光谱:NALA_XYB_(9-X)(SIO_4)_6O_2(X = 0.3,5,7,9)
机译:通过高温固态合成制备的I2-II-IV-VI4和I4-IV-VI4和I4-IV-IV 2-VI7类金刚石状半导体的晶体结构,电子结构和物理化学表征
机译:通过第一原理计算的富硅碳化硅材料的晶体结构和电子性能
机译:氧比(Ethan-1,2-二噻唑胺-S,μS')氧代(乙烯 - 1,2-二硫代噻唑胺-S,S')Technetium(V)的制备,表征和晶体结构和晶体结构和晶体结构 (TCO)2(SCH2CH2S)3。含有金属 - 硫 - 金属桥的TC(V)化合物
机译:me3siCH2asH2的制备和化学; (me3siCH2(H)asGaph2)3的制备,含有与砷键合的氢的三聚单(arsino)Gallane。 (me3siCH2as)5的分离和X射线晶体结构。
机译:这是从碳化硅晶体结构的表面去除的方法,该碳化硅晶体结构使用了化学处理破坏的碳化硅晶体结构。
机译:碳化硅-外延衬底,制备碳化硅的方法-外延生长衬底,制备碳化硅的方法-半导体器件,碳化硅-先于方向生长和碳化硅-先于方向生长元素
机译:立方钙钛矿晶体结构,该晶体结构的制备方法以及由该晶体结构构成的制品
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