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公开/公告号CN111816729A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201910297009.6
发明设计人 伊晓燕;张硕;刘志强;梁萌;冯涛;任芳;王蕴玉;王军喜;李晋闽;
申请日2019-04-11
分类号H01L31/167(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人喻颖
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 08:36:28
机译: 硅基衬底上的ZnO纳米芯片电致发光元素及其制备方法
机译: 二氧化硅纳米线阵列芯片在全血中合成和检测循环肿瘤细胞及其制备方法
机译: 在同一芯片上集成了悬浮LED,光学波导和光电检测器的装置及其制备方法
机译:具有双反转OLED栅极和纳米线阵列通道的集成压电光电晶体管的高度增强性能
机译:用原位掺杂p-n同质结ZnO纳米线阵列制成的近紫外LED
机译:基于ZnO纳米线阵列的混合LED
机译:具有单芯片集成金属-有机骨架的等离子纳米天线阵列,用于红外吸收CO 2 inf>传感
机译:纳米Cdo / NiO,纳米Ag / ZnO复合材料和Ag / Zno嵌入式聚合物纳米复合材料的合成与表征。
机译:通过原子层沉积制备的各种衬底和ZnO超薄种子层对ZnO纳米线阵列生长的影响的研究
机译:错误:DMSO溶液中ZnO纳米线阵列的生长和表征ZnO纳米线阵列中的阳极氧化铝模板
机译:双层金属催化剂生长垂直排列的ZnO纳米线阵列。