一种提高载流子注入效率的氮化镓基激光器外延结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种提高载流子注入效率的氮化镓基激光器外延片结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。外延片结构从下到上包括衬底、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非故意掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、C掺杂上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN限制层和p型GaN层。本发明通过在上波导层中进行少量的C杂质掺杂，补偿上波导层中的施主缺陷，降低本底载流子浓度，减少载流子在波导层的复合，增加空穴注入效率。