一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器及测量方法

摘要

本发明公开了一种基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器及测量方法，包括传感单元、激励单元，所述传感单元包括固定法兰、长度调节件、电路容纳件、电路板；所述电路板包括巨磁阻芯片、处理芯片，巨磁阻芯片位于电路板中间，电路板设置在电路容纳件底部中间；所述激励单元包括磁条、上壳体，所述磁条固定于上壳体底部的中间；所述传感单元安装到待测转轴的轴向外侧的固定壁上，所述激励单元安装在待测转轴的一端头部，安装后的传感单元与激励单元处于同一轴心。该基于巨磁阻效应的非接触角位移传感器具有灵敏度突出、测量精度高、使用寿命长的特点，并且防护等级更高、使用功耗更低、体积更小、价格也较便宜，适合于广泛推广应用。