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公开/公告号CN111751330A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010596180.X
发明设计人 秦琛烨;姚佰承;安宁;谭腾;
申请日2020-06-28
分类号G01N21/552(20140101);G01N27/12(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 08:30:12
机译: -金属-石墨烯异质结金属互连其形成方法和包括该金属-石墨烯异质结金属的半导体器件
机译: 硅-石墨烯异质结太阳能电池的生产方法及同时生产的硅-石墨烯异质结太阳能电池
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译:纳米异质结功能化的基于石墨烯的气体传感器的回收率提高
机译:直接合成直立石墨烯/ ZnO纳米牛头/石墨烯夹层异质结及其对NO2气体传感器的应用
机译:氧等离子体处理的石墨烯/ InN纳米线异质结传感器可用于有毒气体检测
机译:基于金属氧化物半导体/石墨烯异质结的传感器
机译:基于酞菁异质结器件的新型气体传感器传感器
机译:一种基于酞菁异质结器件的新型气体传感器传感器
机译:基于陶瓷p-n异质结的气体传感器