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公开/公告号CN111742384A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 阿维科斯公司;
申请/专利号CN201980014470.4
发明设计人 S.汉森;
申请日2019-02-14
分类号H01G11/16(20060101);H01G11/78(20060101);H01G11/28(20060101);H01G11/32(20060101);H01G11/10(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人宋莉;金拟粲
地址 美国南卡罗来纳州
入库时间 2023-06-19 08:27:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
著录事项变更 IPC(主分类):H01G11/16 专利申请号:2019800144704 变更事项:申请人 变更前:阿维科斯公司 变更后:京瓷AVX元器件公司 变更事项:地址 变更前:美国南卡罗来纳州 变更后:美国南卡罗来纳州
著录事项变更
机译: 具有高电压和低等效串联电阻的封装超级电容器模块
机译: 高压低等效串联电阻封装的超级电容器模块
机译:FinFET SRAM单元设计在高电源电压下具有BTI稳健性,在低电源电压下具有高良率
机译:一类在初级侧开关上具有低电压应力且具有高输出电流容量的高输入低输出电压单步转换器
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