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金属氧化物阵列基板的制备方法及金属氧化物阵列基板

摘要

本发明提供一种金属氧化物阵列基板的制备方法及金属氧化物阵列基板,其中金属氧化物阵列基板的制备方法包括:在衬底基板上层积栅极扫描线;在栅极扫描线上方层积第一有源区;在第一有源区的上方层积形成关于栅极扫描线的中心线对称的第一漏极和第二漏极;在第一漏极和第二漏极的上方层积主像素电极和副像素电极,主像素电极和副像素电极并排设置,第一漏极、第二漏极和栅极扫描线位于主像素电极和副像素电极的间隙内。本发明提供的金属氧化物阵列基板制备方法及金属氧化物阵列基板,栅极‑漏极寄生电容的大小保持不变,避免了由于寄生电容Cgd的变化而引起的画面显示不均及闪烁问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111725245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都中电熊猫显示科技有限公司;

    申请/专利号CN202010729826.7

  • 发明设计人 刘翔;

    申请日2020-07-27

  • 分类号H01L27/12(20060101);H01L21/77(20170101);G02F1/1368(20060101);G02F1/1362(20060101);

  • 代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱颖;刘芳

  • 地址 610200 四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号

  • 入库时间 2023-06-19 08:27:06

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