一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro‑LED及其制备方法，本发明这种微腔Micro‑LED发光半高宽窄，发光方向性好；通过减薄芯片厚度，并通过p‑GaN层(5)的金属反射镜和n‑GaN层的介质膜反射镜作为谐振腔端面，形成垂直方向的谐振微腔结构，将抑制侧壁出光，提高正面出光方向性，从而减小Micro‑LED显示相邻像素之间的串扰效应。同时谐振微腔结构将选择特定波长，使其发光光谱变窄，光谱纯度更高，这将有利于提高Micro‑LED显示的阈值，本发明垂直结构Micro‑LED有源区面积大，n‑GaN吸光较少；电流扩展较好，电压较低，电流密度较小，在光效，饱和电流，长期可靠性方面具有优势；其次Cu衬底具有良好的导电性和导热性，芯片热阻较小。