一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法

摘要

本发明公开了一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法，包括以下步骤：通过自动减薄机将LED芯片的硅晶圆进行磨削，磨削的速度不大于0.3μm/s，磨削后所剩余的晶圆厚度控制在170～300μm之间；通过丙酮清洗磨削后的硅晶圆，洗掉磨削后表面的有机物和脏污；配置硅腐蚀液，静止15分钟以上；使用硅腐蚀液进行化抛处理；进行CMP化抛处理。通过化学抛光和CMP化抛后，可以大量释放磨削表面损失层之间的相互应力，有效减少硅晶圆的翘曲，降低机械式的磨削方法带来的对晶圆表面产生的翘曲，提供一种减薄后进行表面修复的方式。