具有非穿透沟槽的窄边缘电流型硅PIN辐射探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有非穿透沟槽的窄边缘电流型硅PIN辐射探测器及其制备方法。在I区半导体硅片的正面和背面通过离子注入工艺形成P+区和N+区，在I区半导体硅片上刻蚀形成宽度足够大的非穿透沟槽，并在沟槽表面扩散掺杂形成N+区。本发明在常规PIN结构探测器的基础上设计了非穿透沟槽结构，不仅避免了全穿透沟槽结构对支撑硅片的依赖性，简化了工艺；而且达到探测器窄边缘的目的，减小探测器的死区和所需的划片面积，同时降低了缺陷的产生，提高了探测器的收集效率。另外，非穿透沟槽表面的N+区形成低阻层，使得探测器可在高压下工作。本发明的电流型硅PIN辐射探测器可用于对收集效率和高压工作环境有需求的核辐射探测、航空航天等领域。