首页> 中国专利> 图案化TFC且并入ODI架构和有机衬底的任何堆积层中的方法

图案化TFC且并入ODI架构和有机衬底的任何堆积层中的方法

摘要

实施例包括半导体封装。半导体封装包括多个堆积层以及堆积层中的多个导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。第一导电层在第二导电层和堆积层上方,其中第一通孔耦合第一导电层和第二导电层。该半导体封装还包括堆积层中的薄膜电容器(TFC),其中第二通孔将TFC耦合到第一导电层,并且第二通孔具有比第一通孔的厚度小的厚度。第一导电层可以是第一级互连。堆积层可以是电介质。TFC可包括第一电极、第二电极和电介质。第一电极可在第二电极上方,并且电介质可在第一电极和第二电极之间。

著录项

  • 公开/公告号CN111696949A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202010092639.2

  • 申请日2020-02-14

  • 分类号H01L23/498(20060101);H01L23/64(20060101);H01L49/02(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人付曼;陈岚

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 08:20:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/498 专利申请号:2020100926392 申请日:20200214

    实质审查的生效

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