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ALD沉积装置及ALD沉积方法

摘要

本发明提供一种ALD沉积装置及ALD沉积方法,ALD沉积装置包括一真空腔体。通过将真空腔体设置成多个沉积的子单元,每个子单元设置独立控制的结构,分别配置进气口和出气口,以增大反应气体的供气速率和抽气速率,提高成膜质量,缩短沉积周期。

著录项

  • 公开/公告号CN111676465A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010680690.5

  • 发明设计人 马昆松;

    申请日2020-07-15

  • 分类号C23C16/455(20060101);

  • 代理机构44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司;

  • 代理人李新干

  • 地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

  • 入库时间 2023-06-19 08:19:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/455 专利申请号:2020106806905 申请公布日:20200918

    发明专利申请公布后的驳回

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