公开/公告号CN111676465A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华星光电半导体显示技术有限公司;
申请/专利号CN202010680690.5
发明设计人 马昆松;
申请日2020-07-15
分类号C23C16/455(20060101);
代理机构44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司;
代理人李新干
地址 430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
入库时间 2023-06-19 08:19:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/455 专利申请号:2020106806905 申请公布日:20200918
发明专利申请公布后的驳回
机译: 用于原子层沉积的ALD CVD ALD / CVD前体化合物ALD化学气相沉积CVD和使用相同的ALD / CVD沉积
机译: 用于原子层沉积的ALD CVD ALD / CVD前体化合物ALD化学气相沉积CVD和使用相同的ALD / CVD沉积
机译: 用于原子层沉积的ALD ALD有机金属前体化合物和使用相同的ALD沉积