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一种基于CMOS工艺的太赫兹三倍频器

摘要

本发明涉及毫米波通信技术领域,具体提供一种基于CMOS工艺的太赫兹三倍频器,用以克服传统太赫兹混合集成三倍频器的加工和装配误差大的难题。本发明包括:晶体管NMOS1、晶体管NMOS2、栅极偏置电路、漏极偏置电路、两个3次谐波空闲电路、两个基波空闲电路、输入传输线变压器及输出传输线变压器;整个倍频器电路采用平衡式倍频结构,有效抑制偶次谐波输出,提升频谱纯净度;同时,输入端的3次谐波空闲电路与输出端的基波空闲电路能够有效提升倍频器的倍频效率;另外,本发明采用半导体工艺技术一次成型,二极管、三极管等器件无需进行二次装配,倍频器电路的加工误差大大减小,极大的降低了生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN111682848A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010587732.0

  • 发明设计人 杨自强;杨涛;

    申请日2020-06-24

  • 分类号H03B19/14(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人甘茂

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 08:19:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-09-22

    授权

    发明专利权授予

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