公开/公告号CN111684595A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201980011809.5
申请日2019-01-29
分类号H01L27/11556(20060101);H01L27/11582(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 08:17:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-29
授权
发明专利权授予
机译: 具有存储器单元的存储器,该存储器单元包括MIM型电容器,该电容器的下部电极制成为在与金属膜的界面处减小电阻
机译: 具有不对称电荷陷阱的多状态存储器单元,存储器阵列,电气系统,用于编程,擦除或读取多状态NAND存储器单元的方法以及读取多状态NAND存储器单元的阵列的方法
机译: 在电极单元,电池单元和包括该电极单元的装置之间的界面中具有预定厚度比的阶梯状电极组件