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具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法

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摘要

公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。

著录项

  • 公开/公告号CN111668097A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010151534.X

  • 发明设计人 I.莫德;B.戈勒;T.F.W.黑希鲍尔;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;

    申请日2020-03-06

  • 分类号H01L21/3063(20060101);H01L21/265(20060101);H01L21/304(20060101);H01L21/20(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/739(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘书航;申屠伟进

  • 地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

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