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伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法,所述热电材料的化学式为Ge0.90‑xTixSb0.10Te,其中x的取值范围为0≤x≤0.03。本发明还提供一种所述伪立方相结构GeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素,并控制其含量,使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变,有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅,在室温下存在稳定的伪立方相结构,具有较低的热导率,并在工作温度范围内有良好的热电性能,具有优异的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN111653662A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN202010417769.9

  • 申请日2020-05-18

  • 分类号H01L35/16(20060101);H01L35/34(20060101);C01B19/00(20060101);

  • 代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-06-19 08:14:27

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