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公开/公告号CN111653618A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);
申请/专利号CN202010378923.6
发明设计人 何进;何箫梦;李春来;胡国庆;魏益群;
申请日2020-05-07
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构36137 南昌丰择知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘小平
地址 518051 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区科苑南路高新七道15号
入库时间 2023-06-19 08:14:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-15
授权
发明专利权授予
机译: 在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
机译: 在基于氮化铝的帽段上具有栅极接触的铝氮化镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:硅基质上带有中等碳化硅氮化物的硅基底上的铝和镓氮化物
机译:通过KPFM镓氮化镓氮化镓PN结
机译:用于微波功率放大器的氮化铟镓/氮化镓异质结双极晶体管的设计与制造。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:氮化镓纳米管及其在晶体管中的应用
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。