一种高介电常数栅介质材料及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种高介电常数栅介质材料及其制备方法。该高介电常数栅介质材料，自下至上，包括依次叠加的AlN层、AlOxNy层和Al2O3层；该栅介质层具有较高的界面质量、界面态密度和高可靠性，同时该栅介质层的均匀性较好，漏电流的问题较少。