一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法

摘要

本发明提供一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法，所述检测方法包括：将样品硅片平均分为两份；对第一份样品硅片进行一次热处理，对第二份样品硅片进行二次热处理；将经一次热处理后的第一份样品硅片和经二次热处理后的第二份样品硅片拼接得到第三样品硅片，并对所述第三样品硅片进行少数载流子寿命测试；根据所述第三样品硅片的少数载流子寿命测试结果，确定所述样品硅片的缺陷分布区域。根据本发明实施例的检测方法，可以减少处理样品硅片的时间，节约检测工序，简化了检测的操作过程，检测结果的准确度高。