公开/公告号CN111628020A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院;
申请/专利号CN202010438585.0
申请日2020-05-19
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/105(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人许恒恒;李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 08:09:41
机译: 同质结型雪崩光电二极管-基于磷化铟衬底上的砷化镓铟磷化物层
机译: 同质结型雪崩光电二极管-基于磷化铟衬底上的砷化镓铟磷化物层
机译: 基于横向GaN的增强结场效应晶体管器件及其制备方法