一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法

摘要

一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，用于在不增加位错密度情况下对禁带宽度大于2.3eV的半导体单晶外延薄膜进行处理以降低其点缺陷密度，制备方法包括：提供洁净的半导体单晶外延薄膜；将半导体单晶外延薄膜在惰性气氛下预热至第一给定温度；通过脉冲光照射的方式加热半导体薄膜至高于第一给定温度的第二给定温度，以引起半导体外延薄膜再结晶，从而实施退火；在惰性气氛下，自然冷却至室温；其中，脉冲光的单脉冲持续时间为纳秒至毫秒之间，且脉冲光是能够覆盖薄膜的面光。上述方案可以在保持薄膜高质量的情况下还实现对其点缺陷密度的降低。