首页> 中国专利> 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法

一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法

摘要

本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法,该方法包括以下步骤:步骤一,根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型;步骤二,对相变存储器单元进行Set操作,获取Set操作的电压-电流曲线;步骤三,通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数,得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围,为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持,同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-20

    授权

    授权

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20100126

    实质审查的生效

  • 2010-07-14

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号