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基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件

摘要

本申请实施例所公开的一种基于同一衬底制备不同厚度薄膜的方法及其结构、及应用器件,通过在具有不同厚度介质层的压电衬底上注入种类、剂量和能量均相同的离子,使得在该衬底的不同深度处形成多个损伤层,可以在同一衬底的不同区域上得到间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜,可以提高衬底的利用率,节约衬底制造成本,并且,利用间隔开的不同厚度的异质衬底薄膜增加应用器件的空气边界,可以提高声波在薄膜边界的反射系数,进而可以提高器件的品质因子。

著录项

  • 公开/公告号CN111799367A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010608583.1

  • 申请日2020-06-29

  • 分类号H01L41/312(20130101);H01L41/332(20130101);H01L41/22(20130101);H01L41/08(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郝传鑫;贾允

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/312 专利号:ZL2020106085831 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

    专利申请权、专利权的转移

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