公开/公告号CN111799367A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202010608583.1
申请日2020-06-29
分类号H01L41/312(20130101);H01L41/332(20130101);H01L41/22(20130101);H01L41/08(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫;贾允
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2023-06-19 08:00:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/312 专利号:ZL2020106085831 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
专利申请权、专利权的转移
机译: 在同一半导体衬底上形成具有不同绝缘厚度的半导体器件的方法以及所得的器件
机译: 一种通过衬底离子方法和装置在同一衬底上生产不同频率的声薄膜谐振器(体积,fbar)的方法,该方法包括
机译: FinFET器件在同一半导体结构上具有厚度不同的栅极电介质结构