公开/公告号CN111799255A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-20
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN202010569036.7
申请日2018-05-22
分类号H01L27/02(20060101);H01L27/088(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/308(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人黄隶凡
地址 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
入库时间 2023-06-19 08:00:20
机译: 用于光电器件的互连半导体场效应晶体管的制造方法,包括通过构造两层和覆盖层来形成鳍结构,并在结构的侧壁区域上形成栅极区域。
机译: 包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件
机译: 包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件