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一种MOS电阻阵非均匀性数据修正补偿方法

摘要

本发明公开了一种MOS电阻阵非均匀性数据修正补偿方法,包括器件响应的非均匀性补偿法和背景电平的不均性补偿法,并基于器件响应的非均匀性补偿法和背景电平的不均性补偿法提出MOS电阻阵非均匀性修正软件。本发明属于热成像技术领域,具体提供了一种MOS电阻阵非均匀性数据修正补偿方法,该修正补偿方法具有下列优点:修正补偿算法实现可操作性强;MOS电阻阵非均匀性修正软件兼容性强,适用于不同平台运行;MOS电阻阵非均匀性修正软件补偿修正速度快,极大的降低修正运行时间;MOS电阻阵非均匀性修正软件可适用于整个MOS电阻阵红外成像技术修正,在红外仿真系统中取得了理想的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111898269A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安探索者智能光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202010758645.7

  • 发明设计人 田进;杨尧;程方园;

    申请日2020-07-31

  • 分类号G06F30/20(20200101);G01J5/00(20060101);

  • 代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;

  • 代理人任娜娜

  • 地址 710000 陕西省西安市高新区锦业路32号锦业时代A-1号楼11104室

  • 入库时间 2023-06-19 08:00:20

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