公开/公告号CN111898269A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 西安探索者智能光电科技有限公司;
申请/专利号CN202010758645.7
申请日2020-07-31
分类号G06F30/20(20200101);G01J5/00(20060101);
代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;
代理人任娜娜
地址 710000 陕西省西安市高新区锦业路32号锦业时代A-1号楼11104室
入库时间 2023-06-19 08:00:20
机译: 补偿mos集成电路内部固有电特性不均匀性的方法和装置
机译: 一种用于补偿探测器的各个元件中由技术决定的不均匀性的方法,该不均匀性用于图像记录
机译: 一种用于补偿探测器的各个元件中由技术决定的不均匀性的方法,该不均匀性用于图像记录