一种高值电阻的PHEMT器件

摘要

本发明提供了一种高值电阻的PHEMT器件，包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的金属层，通过欧姆接触的形式形成的漏极、栅极和源极；通过将栅极悬空或与源极短接的处理，所述PHEMT器件始终偏置在Vgs＝0的小栅压下，此状态下的PHEMT器件IDVD曲线线性区表现为高值电阻特性。本发明提供了一种高值电阻的器件，以在小面积下实现高阻值，并且没有附加的工艺步骤，不引入额外成本。