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包含具有低铝含量的电子势垒的半导体激光器

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摘要

半导体激光器可以包括衬底、有源区和电子阻止层。电子阻止层可以包括铝镓铟砷磷合金。铝镓铟砷磷合金可以具有AlxGayIn(1‑x‑y)AszP(1‑z)组分。

公开/公告号CN109075533A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人镁可微波技术有限公司;
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申请/专利号CN201780022687.0
发明设计人马克·克劳利;
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申请日2017-05-03
分类号H01S5/343(20060101);H01S5/34(20060101);H01S5/20(20060101);H01S5/227(20060101);H01S5/00(20060101);H01L33/06(20060101);H01L33/14(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人康建峰;杨华
地址美国马萨诸塞州
入库时间 2023-06-19 07:51:04

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-01

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/343 申请公布日:20181221 申请日:20170503

发明专利申请公布后的视为撤回
2018-12-21

公开

公开

1. 包含具有低铝含量的电子势垒的半导体激光器 [P] . 中国专利： CN109075533A . 2018-12-21
2. 包含铝合金的具有高铝含量的膜的沉积 [P] . 中国专利： CN104718314B . 2018.12.11
3. SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING AN ELECTRON BARRIER WITH LOW ALUMINUM CONTENT [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3417517A4 . 2019-02-27

机译：掺入低铝电子势垒的半导体激光器
4. SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING AN ELECTRON BARRIER WITH LOW ALUMINUM CONTENT [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3417517A1 . 2018-12-26

机译：掺入低铝电子势垒的半导体激光器
5. SEMICONDUCTOR LASER INCORPORATING AN ELECTRON BARRIER WITH LOW ALUMINUM CONTENT [P] . 美国专利： US2018269658A1 . 2018-09-20

机译：掺入低铝电子势垒的半导体激光器