公开/公告号CN109075119A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 维耶尔公司;
申请/专利号CN201780013977.9
申请日2017-03-06
分类号H01L21/70(20060101);B81C1/00(20060101);H01L31/18(20060101);H01L33/00(20060101);H01L51/48(20060101);H01L51/56(20060101);
代理机构11204 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司;
代理人王达佐;王艳春
地址 加拿大安大略
入库时间 2023-06-19 07:51:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/70 申请日:20170306
实质审查的生效
2018-12-21
公开
公开
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路
机译: 在半导体衬底中形成一个或多个覆盖空隙的方法,形成场效应晶体管的方法,在绝缘体衬底上形成半导体的方法,形成包含二氧化硅的跨度的方法,冷却半导体器件的方法,形成电磁辐射的方法发射器和导管,成像器系统的形成方法,纳米流体通道的形成方法,荧光法和集成电路