首页> 中国专利> 含有多层钛氮化物扩散屏障的半导体器件以及其制造方法

含有多层钛氮化物扩散屏障的半导体器件以及其制造方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

半导体器件包含硅表面(1402)、接触硅表面的钛硅化物层(1404)、位于钛硅化物层之上的第一钛氮化物层(1406)、接触第一钛氮化物层的钛氮氧化物层(1512)、接触钛氮氧化物层的第二钛氮化物层(1516)，以及位于第二钛氮化物层之上的金属填充层(84B)。

著录项

公开/公告号CN109075044A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人桑迪士克科技有限责任公司;
展开▼

申请/专利号CN201780003018.9
发明设计人天野文贵;石川宪辅;井上慎也;佐野道明;
展开▼

申请日2017-11-17
分类号H01L21/285(20060101);H01L21/768(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/66(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址美国得克萨斯州
入库时间 2023-06-19 07:51:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-01-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20171117

实质审查的生效
2018-12-21

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 含有多层钛氮化物扩散屏障的半导体器件以及其制造方法 [P] . 中国专利： CN109075044A . 2018-12-21
2. Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件 [P] . 中国专利： CN1957447B . 2010.11.03
3. METHOD FOR PROCESSING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT [P] . 日本专利： JP2008251893A . 2008-10-16

机译： III族氮化物半导体的制造方法，III族氮化物半导体发光器件的制造方法，III族氮化物半导体发光器件，III族氮化物半导体激光元件的制造方法以及III族氮化物半导体
4. NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE, PROGRAM FOR SELECTING SUBSTRATE, PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, OFF-ANGLE COORDINATE MAP, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH OFF-ANGLE COORDINATE MAP, PROGRAM FOR SELECTING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR... [P] . US2021184003A1 . 2021-06-17

机译：氮化物半导体衬底，半导体层压材料，用于选择基板的程序，用于输出基板数据的程序，具有用于输出基板数据的程序的氮化物半导体衬底，具有离子坐标图的偏角坐标图，氮化物半导体衬底，用于选择半导体器件的程序，生产氮化物半导体衬底的方法，制造半导体层压材料的方法，制造半导体器件的方法，以及用于...的方法
5. Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, substrate sorting program, substrate data output program, nitride semiconductor substrate with substrate data output program, off angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off angle coordinate map, semiconductor device sorting program, nitride Method of manufacturing semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor stack, method of manufacturing semiconductor device, and method of outputting substrate data [P] . 日本专利： JP2019077600A . 2019-05-23

机译：氮化物半导体基板，半导体层叠体，基板分选程序，基板数据输出程序，具有基板数据输出程序的氮化物半导体基板，偏角坐标图，具有偏角坐标图的氮化物半导体基板，半导体器件分选程序，氮化物，制造半导体叠层的方法，制造半导体器件的方法以及输出衬底数据的方法