公开/公告号CN109055894A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州联芳科技有限公司;
申请/专利号CN201811058725.0
申请日2018-09-12
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构
代理人
地址 310018 浙江省杭州经济技术开发区白杨街道科技园路2号5幢1层01-11单元93工位
入库时间 2023-06-19 07:48:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-21
公开
公开
机译: 用于在钛靶上不形成氮化钛的情况下沉积氮化钛的反应溅射系统以及沉积氮化钛层的方法
机译: 用于在钛靶上不形成氮化钛的情况下沉积氮化钛的反应溅射系统以及沉积氮化钛层的方法
机译: 用于溅射沉积源的磁性装置,磁控溅射沉积源以及利用磁控溅射沉积源在基板上沉积膜的方法