公开/公告号CN109023289A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华星光电半导体显示技术有限公司;
申请/专利号CN201810896123.6
发明设计人 谢锐;
申请日2018-08-08
分类号
代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人钟子敏
地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
入库时间 2023-06-19 07:46:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
授权
授权
2019-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/56 申请日:20180808
实质审查的生效
2018-12-18
公开
公开
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及成膜领域,尤其涉及一种靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备。
背景技术
在OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器、LCD(Liquid CrystalDisplay,液晶显示器)等显示装置的制程中,成膜工艺是不可或缺的一道关键工艺,其主要用于形成所述显示装置的各层膜结构。以ITO成膜工艺为例,并结合图1~图3所示,随着ITO靶材11的使用时长的增加,大量的ITO颗粒(Particle)111会聚集在所述ITO靶材11的缝隙112中,在后续如图3所示的成膜过程中,这些ITO颗粒111仍会以颗粒形式沉积在待成膜基板13上,从而影响成膜品质。
如图2所示,当前清洁ITO颗粒111的方式是在成膜腔室(Chamber)20接入管道12,管道12的气流出口向ITO靶材11吹扫气体,并通过气流将落于所述缝隙112中的ITO颗粒111去除。
但是,该出气方式为单点式设计,气流的吹扫区域并不能覆盖整个ITO靶材11,ITO靶材11上大部分区域的缝隙112无法被气流吹扫,仍会有较多的ITO颗粒111聚集在缝隙112中,清洁效果并不理想。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种靶材清洁组件及靶材清洁方法、成膜设备,能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果。
本申请一实施例的靶材清洁组件,包括气体导向机构,所述气体导向机构用于提供朝向靶材的气流,所述气流的流通方向指向所述靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖所述靶材,并通过所述气流的流通将落于所述靶材缝隙中的颗粒去除。
本申请一实施例的成膜设备,包括上述靶材清洁组件。
本申请一实施例的靶材清洁方法,包括:
提供靶材清洁组件,其包括用于提供气流的气体导向机构;
所述气体导向机构提供朝向靶材的气流,且所述气流的流通方向指向所述靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖所述靶材,并通过所述气流的流通将落于所述靶材缝隙中的颗粒去除。
有益效果:本申请设计气流的流通方向指向靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖整个靶材,相当于将传统的单点式出气改变为本申请的整面式出气,从而能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果,确保后续成膜品质。
附图说明
图1是现有ITO靶材一实施例的结构俯视示意图;
图2是ITO颗粒聚集在图1所示ITO靶材的缝隙的示意图;
图3是现有技术对ITO靶材进行清洁的场景示意图;
图4是采用本申请一实施例的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景俯视示意图;
图5是采用图4所示的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景侧视示意图;
图6是本申请对靶材的一个缝隙进行清洁的场景示意图;
图7是本申请一实施例的靶材清洁方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合本申请实施例中的附图,对本申请所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下,下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。并且,本申请全文所采用的方向性术语,例如“上”、“下”等,均是为了更好的描述各个实施例的技术方案,并非用于限制本申请的保护范围。
图4是采用本申请一实施例的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景俯视示意图,图5是采用图4所示的靶材清洁组件对靶材进行清洁的场景侧视示意图。结合图4和图5所示,所述靶材清洁组件包括气体导向机构41,该气体导向机构41用于对靶材50进行清洁。
在现有技术中,随着靶材50的使用时长的增加,大量的颗粒51会聚集在所述靶材50的缝隙52中,若不去除这些聚集在缝隙52中的颗粒51,则(结合图5所示)在后续的成膜过程中,这些颗粒51仍会以颗粒形式沉积在待成膜基板61上,影响成膜品质。
进一步结合图6所示,气体导向机构41用于提供朝向靶材50的气体,例如氩(Ar)气,并通过喷出气体形成的气流将落于靶材50的缝隙52中的颗粒51去除。应理解,所述靶材清洁组件还可以包括用于产生气流的机构,该机构与气体导向机构41导通以将产生的气流导向气体导向机构41,并通过气体导向机构41最终导向靶材50。
不同于现有技术,在本申请中,所述气流的流通方向直接指向靶材50的缝隙52且所述气流的吹扫区域覆盖整个靶材52。如果将图3现有技术所描述的清洁方式视为单点式出气,则本申请可视为整面式出气或者说多点式出气。所述气流的流通方向直接指向靶材50的缝隙52,能够直接将已聚集在缝隙52中的颗粒51去除,并且在吹气过程中防止颗粒51继续向缝隙52方向聚集,因此,本申请能够有利于改善对缝隙52中颗粒51的清洁效果,并确保后续的成膜品质。
在清洁过程中,所述气体导向机构41可以是连续地提供朝向靶材50的缝隙52的气流,也可以是按照预设的时间间隔提供朝向靶材50的缝隙52的气流,其中,所述预设的时间间隔可以根据颗粒51在缝隙52处聚集的具体情况而定,本申请并不予以限制。
在一应用场景中,如图6所示,所述气体导向机构41提供的气流的流通方向可以与所述靶材50所处平面相垂直,即,气体直接吹向所述靶材50的正面,此时气体对缝隙52的吹扫范围最大且对颗粒51的作用力最大,能够更加有效的将颗粒51吹走。
在实际应用中,所述气体导向机构41可以包括内部中空的管道411,结合图4所示,所述管道411的排布走向和所述缝隙52的延伸方向一致,所述管道411的通过一个进气孔通入气体,而所述管道411的多个气流出口设置于朝向所述缝隙52的一侧,气体从所述气流出口直接吹向所述靶材50的缝隙52。
具体地,结合图5和图6所示,本申请可以在管道411朝向所述缝隙52的一侧设置有分支管412,该分支管412与管道411导通并与靶材50垂直,且分支管412可以部分伸入靶材50的缝隙52中,所述气流出口设置于该分支管412的自由端,于此,本申请可以缩短气流出口与靶材51距离,进一步有效的将缝隙52中的颗粒51吹走。
不同类型的靶材50,其缝隙52的走向及形状各不相同,为了提高所述气体导向机构41的通用性,本申请可以设置管道411为形状可变的软管,通过将软管调整为与靶材50上缝隙52相同的走向及形状。进一步地,为了保持软管的走线及形状,本申请可以将调整后的软管固定于所述靶材清洁组件的承载件上,将所述承载件与所述靶材50间隔或贴合设置,即可使得软管的气流出口朝向缝隙52。
当所述靶材50的表面积较大且缝隙52的延伸方向较长,而气体导向机构41提供的气流较小,所述气体导向机构41提供的气流无法覆盖到整个靶材50的缝隙52时,为了能够将整个靶材50上各个位置缝隙52中的颗粒51去除,气体导向机构41的气流出口处还可以设置有调节阀,用于调节气流的流通方向,通过灵活地调节气流的流通方向,避免气体导向机构41只能将某个特定位置的颗粒51去除。
本申请还提供一种成膜设备。如图5所示,该成膜设备60包括成膜腔室62以及与前述任一实施例相同的靶材清洁组件,待成膜基板61与靶材50间隔设置且两者位于成膜腔室62中。所述成膜设备60也具有前述靶材清洁组件所具有的有益效果。
所述成膜设备60可以被应用在包括但不限于ITO成膜工艺中,当其应用于ITO成膜工艺时,前述靶材50可视为ITO靶材,所述靶材50产生的颗粒51即视为ITO颗粒。
图7是本申请一实施例的靶材清洁方法的流程示意图。如图7所示,所述靶材清洁方法可以包括如下步骤S71和S72。
S71:提供靶材清洁组件,其包括用于提供气流的气体导向机构。
S72:气体导向机构提供朝向靶材的气流,且所述气流的流通方向指向靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖靶材,并通过所述气流的流通将落于靶材缝隙中的颗粒去除。
本申请的靶材清洁方法可以采用上述任一项实施例中的靶材清洁组件,具体的靶材清洁组件可参见上述实施方式,在此不再赘述。因此,所述靶材清洁方法也具有前述有益效果。
综上所述,本申请的主要目的是:设计气流的流通方向指向靶材的缝隙且所述气流的吹扫区域覆盖整个靶材,相当于将传统的单点式出气改变为本申请的整面式出气或者说多点式出气,从而能够有利于改善对靶材缝隙中颗粒的清洁效果,确保后续成膜品质。
在此基础上,以上所述仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,例如各实施例之间技术特征的相互结合,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
机译: 用于成膜设备的组件及其清洁方法
机译: 用于成膜设备的组件及其清洁方法
机译: 成膜设备组件及其清洁方法