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公开/公告号CN109023276A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201810994465.1
发明设计人 陶伯万;苟继涛;赵睿鹏;徐一鲡;陈然;贺冠园;
申请日2018-08-29
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 07:46:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20180829
实质审查的生效
2018-12-18
公开
机译: 制备同质外延金刚石薄膜的方法
机译: 制备同质外延金刚石薄膜的方法和设备
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机译:梯度成分溅射:一种制备磁性各向异性且温度随温度升高的磁性薄膜的方法
机译:一种新颖的溅射氧化偶联(SOC)方法制备VO_2薄膜
机译:一种制备Fe(Te _xS _y)超导薄膜的新方法:从非晶态前体固相外延生长
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机译:srTiO(sub 3)(100)上的外延pb(Zr(sub x)Ti(sub 1(minus)x))O(sub 3)/ srRuO(sub 3)(x = 0,0.35,0.65)多层薄膜通过mOCVD和RF溅射制备mgO(100)和mgO(100)