声明
摘要
符号表
§1.1 概述
§1.2 β-Ga2O3材料的性质及应用
§1.3 Al2O3材料的性质及应用
§1.4 In2O3材料的性质及应用
§1.5 Al-In-O材料的性质及应用
§1.6 β-Ga2O3及Ⅲ族多元薄膜材料的研究现状
§1.7 课题的选取
参考文献
第二章 实验设备及测试方法
§2.1 金属有机化学气相沉积
2.1.1 MOCVD技术原理
2.1.2 MOCVD系统概况
2.1.3 本论文所用MOCVD系统简介
2.1.4 本论文薄膜制备工艺
§2.2 薄膜测试方法
2.2.1 结构和成分测试
2.2.2 形貌测试
2.2.3 电学性质测试
2.2.4 光学性质测试
参考文献
第三章 β-Ga2O3同质外延薄膜的制备及性质研究
3.1.2 薄膜X射线衍射分析
3.1.3 薄膜厚度测量及形貌分析
3.1.4 薄膜拉曼光谱分析
3.1.5 薄膜成分分析
3.1.6 薄膜光学性质
§3.2 Sn掺杂β-Ga2O3同质外延薄膜的制备及性质研究
3.2.2 β-Ga2O3:Sn薄膜的结构性质
3.2.3 β-Ga2O3:Sn薄膜的电学性质
3.2.4 β-Ga2O3:Sn薄膜的组分分析
3.2.5 β-Ga2O3:Sn薄膜的光学性质
参考文献
第四章 Al2xIn2(1-x)O3薄膜的制备及性质研究
4.1.1 单晶SiO2衬底晶面的选取
4.1.2 生长温度对In2O3薄膜结构性质的影响
4.1.3 生长温度对In2O3薄膜生长速率和表面形貌的影响
4.1.4 生长温度对In2O3薄膜电学性质的影响
4.1.5 生长温度对In2O3薄膜光学性质的影响
§4.2 SiO2(0001)衬底Al2xIn2(1-x)O3薄膜的制备及性质研究
4.2.1 组分变化对Al2xIn2(1-x)O3薄膜结构性质的影响
4.2.2 Al2xIn2(1-x)O3薄膜的组分分析
4.2.3 组分变化对Al2xIn2(1-x)O3薄膜电学性质的影响
4.2.4 组分变化对Al2xIn2(1-x)O3薄膜光学性质的影响
§4.3 α-Al2O3(0001)衬底Al2xIn2(1-x)O3薄膜的制备及性质研究
4.3.1 薄膜结构性质分析
4.3.2 薄膜组分变化分析
4.3.3 薄膜电学性质分析
4.3.4 薄膜光学性质分析
参考文献
第五章 IATO薄膜的制备及性质研究
§5.1 IATO薄膜的制备
§5.2 SiO2(0001)衬底上生长IATO薄膜的性质研究
5.2.1 锡含量对薄膜结构性质的影响
5.2.2 锡含量对薄膜表面形貌的影响
5.2.3 锡含量对薄膜电学性质的影响
5.2.4 薄膜组分分析
5.2.5 锡含量对薄膜光学性质的影响
§5.3 α-Al2O3(0001)衬底上生长IATO薄膜的性质研究
5.3.1 锡含量对薄膜结构性质的影响
5.3.2 锡含量对薄膜电学性质的影响
5.3.3 锡含量对薄膜光学性质的影响
参考文献
第六章 结论
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致谢
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