公开/公告号CN108996469A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 纤瑟(天津)新材料科技有限公司;
申请/专利号CN201810839588.8
申请日2018-07-27
分类号B81C1/00(20060101);
代理机构11525 北京红福盈知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈月福
地址 300000 天津市滨海新区经济技术开发区信环西路19号泰达服务外包产业园8号楼2层(天津滨海服务外包产业有限公司托管第2892号)
入库时间 2023-06-19 07:38:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20180727
实质审查的生效
2018-12-14
公开
公开
机译: 应用解决方案形成硅基薄膜和薄膜的形成
机译: 保护基本上水平的表面的方法,该方法包括提供一种不带液体的带电荷的薄膜,该带电荷的薄膜带电荷,将tamanodeseado切开,应用于该表面并将物品放置在修剪过的电影中。
机译: 高性能SiGe异质结双极晶体管,构建在绝缘体上薄膜硅基板上,用于射频应用