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硼膜的除去方法和硼膜的图案形成方法

摘要

本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括:在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理,使经过热处理的部分氧化的步骤;和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN108987262A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN201810602823.X

  • 发明设计人 渡部佳优;冈正浩;上田博一;

    申请日2018-06-05

  • 分类号

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 07:38:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/033 申请日:20180605

    实质审查的生效

  • 2018-12-11

    公开

    公开

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