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降低到附接MEMS裸芯的应力传递的方法和附接层结构

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摘要

一种将MEMS裸芯附接到基部的方法，包括选择附接材料(x)，确定由于传递到MEMS裸芯的安装应力而引起的最大可接受压力改变(dPtarget)，使用等式dPmax

1. 降低到附接MEMS裸芯的应力传递的方法和附接层结构 [P] . 中国专利： CN108946653A . 2018-12-07
2. 从裸芯附接膜带分离半导体裸芯的系统和方法 [P] . 中国专利： CN107221510B . 2020.09.15
3. Method and structure of attachment layer for reducing stress transmission to attached MEMS die [P] . 美国专利： US10640374B2 . 2020-05-05

机译：用于减少应力传递到附接的MEMS管芯的附接层的方法和结构
4. Method of forming the integrated circuit having a die with high Q inductors and capacitors attached to a die with a circuit as a flip chip [P] . 美国专利： US6946321B1 . 2005-09-20

机译：形成具有裸片的集成电路的方法，该裸片具有通过电路作为倒装芯片而附接至裸片的高Q电感器和电容器
5. Integrated circuit and method of forming the integrated circuit having a die with high Q inductors and capacitors attached to a die with a circuit as a flip chip [P] . 美国专利： US6781239B1 . 2004-08-24

机译：集成电路以及形成具有裸片的集成电路的方法，该裸片具有通过电路作为倒装芯片而附接至裸片的高Q电感器和电容器