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蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置

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摘要

在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-16

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C25B 1/30 变更前: 变更后: 申请日:20101216

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-06-25

专利权的转移 IPC(主分类):C25B 1/30 变更前: 变更后: 登记生效日:20140528 申请日:20101216

专利申请权、专利权的转移
2013-01-23

授权

授权
2011-08-03

实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 1/30 申请日:20101216

实质审查的生效
2011-06-22

公开

公开

1. 蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置 [P] . 中国专利： CN102102211B . 2013.01.23
2. 蚀刻液、该蚀刻液的制造方法和使用该蚀刻液的蚀刻方法 [P] . 中国专利： CN103132078A . 2013-06-05
3. DRY ETCHING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING DRY ETCHING APPARATUS THEREOF AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE USED FOR THE DRY ETCHING APPARATUS [P] . 日本专利： JP2003031560A . 2003-01-31

机译：干蚀刻装置，使用其的干蚀刻装置制造半导体装置的方法以及由该方法制造的半导体装置以及用于干蚀刻装置的电极的制造方法
4. ETCHING COMPOSITION HAVING HIGH ETCHING RATIO, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR ETCHING OXIDIZED FILM BY USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2005120373A . 2005-05-12

机译：具有高蚀刻率的蚀刻组合物，其制造方法，使用该蚀刻方法的氧化膜的制造方法以及半导体装置的制造方法
5. Etching device, curved display panel manufacturing apparatus comprising same, method for manufacturing curved display panel using same, and curved display panel manufactured by same [P] . AU2012341318B2 . 2015-03-05

机译：蚀刻装置，包括该蚀刻装置的曲面显示面板制造装置，使用该蚀刻装置的曲面显示面板的制造方法以及由其制造的曲面显示面板