适用于高频和高功率应用的氮化镓装置

摘要

本公开涉及适用于高频和高功率应用的氮化镓装置。一种半导体器件包括第一半导体材料层，其中第一半导体材料外延生长以具有第一衬底的晶体结构。该半导体器件还包括与第一半导体材料层相邻设置的第二半导体材料层，以与第一半导体材料层形成异质结。半导体器件还包括电耦合到异质结的第一组件和结合到第一半导体材料层的第二衬底。