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【2h】

High frequency high power density 3D integrated Gallium Nitride based point of load module

机译：高频高功率密度3D集成氮化镓基负载模块点

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Shu Ji; David Reusch; Fred C. Lee;
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年度 2012
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1. High-Frequency High Power Density 3-D Integrated Gallium-Nitride-Based Point of Load Module Design [J] . Ji S., Reusch D., Lee F. C. Power Electronics, IEEE Transactions on . 2013,第9期

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2. Gallium-Nitride-Based Submodule Integrated Converters for High-Efficiency Distributed Maximum Power Point Tracking PV Applications [J] . Khan Omair, Xiao Weidong, Zeineldin Hatem H. Industrial Electronics, IEEE Transactions on . 2016,第2期

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3. Understanding the Effect of PCB Layout on Circuit Performance in a High-Frequency Gallium-Nitride-Based Point of Load Converter [J] . Reusch D., Strydom J. IEEE Transactions on Power Electronics . 2014,第4期

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4. High Frequency High Power Density 3D Integrated Gallium Nitride Based Point of Load Module [C] . Shu Ji, David Reusch, Fred C. Lee CPES annual power electronics conference . 2012

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5. Aluminum gallium nitride/gallium nitride high-electron-mobility-transistors based flip-chip integrated broadband power amplifiers [D] . Xu, Jian 2000

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6. Gallium Nitride (GaN) High-Electron-Mobility Transistors with Thick Copper Metallization Featuring a Power Density of 8.2 W/mm for Ka-Band Applications [O] . Y. C. Lin, S. H. Chen, P. H. Lee, 2020

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