退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107395136A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 成都四威功率电子科技有限公司;
申请/专利号CN201710777373.3
发明设计人 胡张;侯钧;杨阳;胡亮;杜云飞;
申请日2017-08-31
分类号
代理机构成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人李蕊
地址 610000 四川省成都市青羊区苏坡西路35号1栋1单元3楼
入库时间 2023-06-19 03:47:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/52 申请日:20170831
实质审查的生效
2017-11-24
公开
机译: 一种使用砷化镓或亚磷酸镓三陈源从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法
机译: 一种在低温下浮法生产亚烷基镓和砷化合物的砷化镓镓的方法。
机译: 光学半导体器件,特别是用于宽带光通信的光电集成电路,在砷化镓衬底和氮化镓基发光接收层之间包括氧化锌膜。
机译:从砷化镓到氮化镓的固态功率放大器功率FET的发展报告
机译:脉冲光热反射技术对砷化镓衬底上氮化砷化镓外延层的热表征
机译:砷化镓表面上微型和纳米晶体镓氮化镓的生长
机译:氮化镓薄膜和氮化镓纳米带的合成氮含量氮化成砷化镓
机译:砷化镓-氮化镓晶片融合和n-铝砷化镓/ p-砷化镓/ n-氮化镓双异质结双极晶体管。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:富含镓的砷化镓,磷化镓和氮化镓表面的非均相有机反应。
机译:砷化镓氮化物:硅电路上光互连的新材料