用于形成垂直晶体管器件中的柱的方法

摘要

公开了一种用于形成垂直晶体管器件中的柱的方法。该方法包括：在基板上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中，第二层被置于第一层上方，并且第三层被置于第二层上方，提供栅极层(509)，该栅极层(509)形成被布置在第三层上方的蚀刻掩模，以及通过该蚀刻掩模来蚀刻至少第二层和第三层以形成鳍的柱。柱的第一层和第三层分别限定该晶体管器件的源极区和漏极区，柱的第二层限定该晶体管器件的沟道区，以及栅极层进一步包括被布置在第二层的至少一个侧壁上的栅极电极。