使用融合结合法在CMOS基材上集成AIN超声换能器

摘要

本文提供了一种方法，该方法包括将处理基材上的第一氧化物层结合至互补金属氧化物半导体(“CMOS”)上的第二氧化物层，其中熔融结合形成了包括隔膜的统一氧化物层，该隔膜覆盖了CMOS上的腔体。将处理基材去除，留下统一氧化物层。将压电膜堆叠体沉积在统一氧化物层上。在压电膜堆叠体和统一氧化物层中形成通孔。使得电接触层沉积，其中，电接触层将压电膜堆叠体电连接至CMOS上的电极。