首页> 中国专利> 一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管

一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管

摘要

本发明提供了一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管。该合成方法包括:步骤S1,提供含CdSe量子点核的溶液;步骤S2,在CdSe量子点核上外延生长多个ZnxCd1‑xS单层壳,在远离CdSe量子点核的方向上,各ZnxCd1‑xS单层壳的x由0逐渐增加且最大值取0.5~0.8之间的数值,得到含CdSe/ZnxCd1‑xS量子点的体系;可选的步骤S3,对步骤S2的CdSe/ZnxCd1‑xS量子点再继续包覆ZnS壳层。通过控制壳层中的成分由CdS逐渐过渡到CdZnS或ZnS,保证了较好的晶格匹配度,使量子点能够维持在单指数分散的水平,最终能够得到高光学质量、耐光漂白性、空气稳定性高的量子点。

著录项

  • 公开/公告号CN108841373A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳晶科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201810516871.7

  • 发明设计人 陈小朋;邵蕾;谢阳腊;

    申请日2018-05-25

  • 分类号C09K11/02(20060101);C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);H01L33/50(20100101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人韩建伟;梁文惠

  • 地址 310052 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室

  • 入库时间 2023-06-19 07:18:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/02 申请日:20180525

    实质审查的生效

  • 2018-11-20

    公开

    公开

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